Intégration hétérogène pour la conception électronique en RF et micro-ondes
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L'intégration hétérogène (HI) fait référence au processus de combinaison d'un ensemble de composants électroniques avec différentes fonctions et compositions de matériaux en un seul système compact. En particulier dans les applications radiofréquences (RF) et micro-ondes, les conceptions basées sur HI permettent une densité fonctionnelle plus élevée et de meilleures performances lorsqu'elles sont mises en œuvre en tenant compte des exigences spécifiques à l'application. Les dispositifs passifs intégrés (IPD), tels que les conducteurs, les résistances, les vias, les traces et les ponts, jouent un rôle important dans HI car ils sont en grande partie responsables de l'optimisation des performances qui en résulte lorsque les composants sont combinés.
Le rôle des HI et des IPD dans la conception électronique
Les IPD dans les conceptions basées sur HI présentent un monde de possibilités en matière de performances et d'optimisation de la fabrication. Voici à quoi vous pouvez vous attendre :
Performance améliorée
L’intégration de différents matériaux et technologies entraîne des gains de performances. Par exemple, les matériaux semi-conducteurs comme l'arséniure de gallium (GaAs), le nitrure de gallium (GaN) et le silicium (Si) maximisent l'efficacité et la puissance de sortie lorsqu'ils sont combinés dans des amplificateurs, des mélangeurs et des oscillateurs. Cette combinaison est particulièrement adaptée aux applications telles que les radars, les communications par satellite et les réseaux 5G.
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